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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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M29F800FB5AN6E2
M29F800FB5AN6E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥31.94119

6687

5-7 工作日

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合计: ¥31.94119

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AS4C128M8D3LB-12BIN
AS4C128M8D3LB-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥57.65348

7

5-7 工作日

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合计: ¥57.65348

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AS4C32M32MD2A-25BIN
AS4C32M32MD2A-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥42.71040

0

2-3 工作日

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合计: ¥42.71040

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AS4C64M16MD1A-5BIN
AS4C64M16MD1A-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9)

¥44.36038

0

2-3 工作日

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合计: ¥44.36038

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AS4C8M16SA-6TIN
AS4C8M16SA-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥32.37576

5849

5-7 工作日

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合计: ¥32.37576

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AS6C62256-55PCN
AS6C62256-55PCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥29.84075

6817

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.84075

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AS6C6264-55PCN
AS6C6264-55PCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥29.84075

1450

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.84075

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AS4C16M16SA-6TCN
AS4C16M16SA-6TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥16.49426

7472

2-3 工作日

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合计: ¥16.49426

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AS4C16M16SA-7TCN
AS4C16M16SA-7TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥20.24753

23501

2-3 工作日

- +

合计: ¥20.24753

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AS4C16M16SB-6TIN
AS4C16M16SB-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥39.88336

7816

2-3 工作日

- +

合计: ¥39.88336

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AS4C32M32MD1A-5BIN
AS4C32M32MD1A-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥47.63933

0

2-3 工作日

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合计: ¥47.63933

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AS4C32M16D2A-25BIN
AS4C32M16D2A-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥29.35289

21609

2-3 工作日

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合计: ¥29.35289

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AS4C128M16MD2A-25BIN
AS4C128M16MD2A-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥54.86983

0

2-3 工作日

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合计: ¥54.86983

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AS4C8M32SA-6BIN
AS4C8M32SA-6BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥70.17158

0

2-3 工作日

- +

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AS4C8M16SA-7BCN
AS4C8M16SA-7BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥32.14840

6509

2-3 工作日

- +

合计: ¥32.14840

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AS4C16M16SA-6TIN
AS4C16M16SA-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥40.27220

41637

2-3 工作日

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合计: ¥40.27220

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AS4C32M16D3-12BCN
AS4C32M16D3-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥39.90838

5655

5-7 工作日

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AS6C1016-55ZIN
AS6C1016-55ZIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥26.50901

87

5-7 工作日

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合计: ¥26.50901

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AS4C128M16D2-25BCN
AS4C128M16D2-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (10.5x13.5)

¥115.56189

0

2-3 工作日

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AS4C64M16D2A-25BIN
AS4C64M16D2A-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥48.74472

8150

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