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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C256M16D4-75BCN
AS4C256M16D4-75BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥81.33777

764

5-7 工作日

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合计: ¥81.33777

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AS4C512M8D4-75BCN
AS4C512M8D4-75BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6)

¥81.33777

334

5-7 工作日

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合计: ¥81.33777

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AS7C256A-20TCN
AS7C256A-20TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.64857

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,661.76491

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AS7C3256A-12TIN
AS7C3256A-12TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.75577

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,686.85018

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AS7C3256A-15TIN
AS7C3256A-15TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.64857

0

2-3 工作日

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合计: ¥3,661.76491

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AS7C1025B-15JINTR
AS7C1025B-15JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥23.43607

0

2-3 工作日

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合计: ¥11,718.03450

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AS7C3256A-20TCN
AS7C3256A-20TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.64857

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,661.76491

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AS6C2008-55BIN
AS6C2008-55BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥23.16282

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥11,118.15504

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AS6C1008-55BIN
AS6C1008-55BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥23.31765

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,192.47056

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AS4C4M16SA-7B2CNTR
AS4C4M16SA-7B2CNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA

¥17.37485

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥34,749.69600

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AS6C2016-55BIN
AS6C2016-55BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥23.16282

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥11,118.15504

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AS7C3256A-15JINTR
AS7C3256A-15JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥15.92181

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥15,921.81400

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AS6C2008A-55BIN
AS6C2008A-55BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥23.31765

0

5-7 工作日

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合计: ¥11,192.47056

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AS7C3256A-20JCNTR
AS7C3256A-20JCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥15.92181

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥15,921.81400

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AS7C256A-10TINTR
AS7C256A-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.83638

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15,836.38400

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AS7C1024B-20TCNTR
AS7C1024B-20TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥23.36618

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23,366.17500

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AS7C31024B-20TCNTR
AS7C31024B-20TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥23.36618

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23,366.17500

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AS7C1026B-20TCNTR
AS7C1026B-20TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥23.36618

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23,366.17500

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AS7C31026B-20TCNTR
AS7C31026B-20TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥23.36618

0

5-7 工作日

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合计: ¥23,366.17500

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AS6C1008-55SINL
AS6C1008-55SINL
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥24.89443

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,792.39874

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