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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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AS7C4096A-20JINTR
AS7C4096A-20JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥36.27983

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5-7 工作日

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合计: ¥18,139.91550

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AS7C34098A-20JCNTR
AS7C34098A-20JCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥36.27983

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5-7 工作日

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合计: ¥18,139.91550

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AS4C8M32S-7TCN
AS4C8M32S-7TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥42.04033

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合计: ¥4,540.35532

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AS7C34098A-20JINTR
AS7C34098A-20JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥36.27983

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合计: ¥18,139.91550

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AS7C31025B-12TJCNTR
AS7C31025B-12TJCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥21.56878

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合计: ¥21,568.77700

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AS4C32M16D3L-12BIN
AS4C32M16D3L-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥34.06112

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2-3 工作日

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合计: ¥6,471.61299

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AS7C4098A-20JCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥36.27983

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AS7C31025B-15TJCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥21.68099

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合计: ¥21,680.99100

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AS7C4098A-20JINTR
AS7C4098A-20JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥36.27983

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合计: ¥18,139.91550

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AS7C1024B-12JCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥21.56878

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AS7C1024B-15JCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥21.56878

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合计: ¥21,568.77700

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AS7C31024B-12JCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥21.68099

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AS7C31024B-15JCNTR
AS7C31024B-15JCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥21.56878

0

5-7 工作日

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合计: ¥21,568.77700

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AS7C31025B-10JCNTR
AS7C31025B-10JCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥21.56878

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5-7 工作日

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合计: ¥21,568.77700

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AS4C32M16MSA-6BIN
AS4C32M16MSA-6BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-FBGA (8x8)

¥44.45366

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合计: ¥14,180.71786

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AS6C4008-55BIN
AS6C4008-55BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥1.09860

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2-3 工作日

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合计: ¥527.32944

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AS4C64M8D2-25BCN
AS4C64M8D2-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥30.44587

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2-3 工作日

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合计: ¥8,037.70994

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AS7C31025B-12JCNTR
AS7C31025B-12JCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥21.56878

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合计: ¥21,568.77700

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AS7C34098A-8TIN
AS7C34098A-8TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥36.27983

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5-7 工作日

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合计: ¥19,591.10874

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AS4C64M8D1-5BCN
AS4C64M8D1-5BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x13)

¥30.44587

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合计: ¥7,307.00904

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