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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS7C256A-20TCNTR
AS7C256A-20TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.22733

0

5-7 工作日

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合计: ¥15,227.32800

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AS7C3256A-10TINTR
AS7C3256A-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.31227

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2-3 工作日

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合计: ¥15,312.26600

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AS7C3256A-12TINTR
AS7C3256A-12TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.22733

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15,227.32800

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AS7C3256A-20TCNTR
AS7C3256A-20TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.22733

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15,227.32800

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AS7C3256A-10JIN
AS7C3256A-10JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥21.51141

0

5-7 工作日

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合计: ¥21.51141

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AS4C4M32D1A-5BCN
AS4C4M32D1A-5BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)

¥28.60672

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2-3 工作日

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合计: ¥5,406.66951

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AS4C4M32S-6BINTR
AS4C4M32S-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥34.18243

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥68,364.86400

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AS4C64M16D3B-12BINTR
AS4C64M16D3B-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥40.19810

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5-7 工作日

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合计: ¥80,396.19000

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AS6C62256-55STCN
AS6C62256-55STCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-sTSOP

¥18.26542

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2-3 工作日

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合计: ¥4,274.10828

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AS7C256A-20JIN
AS7C256A-20JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥18.26542

0

2-3 工作日

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合计: ¥4,566.35500

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AS4C64M16D2A-25BINTR
AS4C64M16D2A-25BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥41.61741

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2-3 工作日

- +

合计: ¥104,043.53500

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AS7C34096B-10BINTR
AS7C34096B-10BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥34.18243

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥68,364.86400

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AS4C128M8D3B-12BANTR
AS4C128M8D3B-12BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥48.88958

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥122,223.93750

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AS4C8M16SA-7BCNTR
AS4C8M16SA-7BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥26.80960

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥67,024.00500

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AS4C64M16D3LB-12BINTR
AS4C64M16D3LB-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥40.39832

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2-3 工作日

- +

合计: ¥80,796.63600

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AS7C1025C-15JIN
AS7C1025C-15JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥41.50182

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.50182

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AS4C128M8D3LB-12BANTR
AS4C128M8D3LB-12BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥48.88958

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥122,223.93750

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AS4C4M16SA-7B2CN
AS4C4M16SA-7B2CN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA

¥18.38205

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,257.26516

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AS7C1024B-12TJCNTR
AS7C1024B-12TJCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥21.56878

0

5-7 工作日

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合计: ¥21,568.77700

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AS6C2008-55TIN
AS6C2008-55TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥24.29015

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5-7 工作日

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合计: ¥3,789.26371

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