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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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AS4C32M16D2A-25BANTR
AS4C32M16D2A-25BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5)

¥29.19525

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合计: ¥72,988.11500

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AS4C128M8D3LB-12BAN
AS4C128M8D3LB-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥53.46455

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合计: ¥12,938.42183

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AS4C32M16D3-12BCNTR
AS4C32M16D3-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥29.20576

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合计: ¥43,808.63400

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AS4C64M16MD2A-25BIN
AS4C64M16MD2A-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥46.45871

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合计: ¥5,946.71526

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AS7C256A-15JCN
AS7C256A-15JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥15.09942

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合计: ¥3,774.85450

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AS4C16M32MD1-5BINTR
AS4C16M32MD1-5BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥37.79198

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2-3 工作日

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合计: ¥37,791.97500

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AS4C8M32S-6TINTR
AS4C8M32S-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥41.55436

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合计: ¥41,554.35700

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AS7C3256A-15JCN
AS7C3256A-15JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥15.09942

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,774.85450

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AS4C32M16MSA-6BINTR
AS4C32M16MSA-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-FBGA (8x8)

¥41.34972

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5-7 工作日

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合计: ¥41,349.71600

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AS4C4M32SA-6TINTR
AS4C4M32SA-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥36.06843

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合计: ¥36,068.42500

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AS6C8008-55ZINTR
AS6C8008-55ZINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥44.10636

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5-7 工作日

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合计: ¥44,106.36400

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AS6C8016-55ZINTR
AS6C8016-55ZINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥44.10636

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5-7 工作日

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合计: ¥44,106.36400

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AS4C128M8D2A-25BCNTR
AS4C128M8D2A-25BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥32.52844

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合计: ¥65,056.88600

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AS6C1016-55BINTR
AS6C1016-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥21.44978

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合计: ¥42,899.56600

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AS4C4M16SA-6BINTR
AS4C4M16SA-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥72.71487

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合计: ¥181,787.17500

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AS6C2008-55STIN
AS6C2008-55STIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥13.96706

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合计: ¥3,268.29110

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AS6C2008A-55STIN
AS6C2008A-55STIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥24.20179

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合计: ¥5,663.21839

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AS4C32M8SA-6TINTR
AS4C32M8SA-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥26.36184

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合计: ¥26,361.83800

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AS4C32M16D3L-12BCNTR
AS4C32M16D3L-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥29.05236

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合计: ¥43,578.53700

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AS4C8M16D1-5BCN
AS4C8M16D1-5BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥23.97205

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