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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS6C8016-55TINTR
AS6C8016-55TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥46.54635

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2-3 工作日

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合计: ¥69,819.51750

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AS6C8016-55BINTR
AS6C8016-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥44.00062

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5-7 工作日

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合计: ¥88,001.23600

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AS7C1024B-20TJCN
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥26.25979

0

5-7 工作日

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合计: ¥5,777.15292

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AS7C31024B-20TJCN
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥26.08445

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2-3 工作日

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合计: ¥5,738.57900

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AS7C31025B-20TJCN
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥26.25979

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,777.15292

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AS4C64M8D2-25BAN
AS4C64M8D2-25BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥99.30377

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2-3 工作日

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合计: ¥26,216.19607

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AS7C1024B-20JCN
AS7C1024B-20JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥26.26000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,514.60063

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AS7C31024B-20JCN
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥26.26000

0

5-7 工作日

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合计: ¥5,514.60063

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AS4C128M16D3L-12BAN
AS4C128M16D3L-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-BGA(13x9)

¥48.38257

14

5-7 工作日

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合计: ¥48.38257

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AS4C128M8D3B-12BCNTR
AS4C128M8D3B-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥36.01588

0

2-3 工作日

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合计: ¥90,039.69500

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AS7C31025B-20JCN
AS7C31025B-20JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥26.26000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,514.60063

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AS7C1026B-20JCN
AS7C1026B-20JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥26.26008

0

5-7 工作日

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合计: ¥4,201.61216

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AS4C16M16D1-5BINTR
AS4C16M16D1-5BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥29.19525

0

2-3 工作日

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合计: ¥72,988.11500

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AS7C31026B-20JCN
AS7C31026B-20JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥26.26008

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,201.61216

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AS4C128M8D3B-12BINTR
AS4C128M8D3B-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥41.49130

0

2-3 工作日

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合计: ¥103,728.25000

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AS4C128M8D3LB-12BCNTR
AS4C128M8D3LB-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥36.01588

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥90,039.69500

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AS4C128M8D3LB-12BINTR
AS4C128M8D3LB-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥41.28453

0

5-7 工作日

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合计: ¥103,211.32500

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AS4C64M8D2-25BINTR
AS4C64M8D2-25BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥32.69489

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2-3 工作日

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合计: ¥65,389.78400

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AS7C4098A-12TCN
AS7C4098A-12TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥36.30786

135

5-7 工作日

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合计: ¥4,901.56124

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AS4C128M8D3B-12BAN
AS4C128M8D3B-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥53.46455

0

5-7 工作日

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合计: ¥12,938.42183

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