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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS7C31025B-12TJIN
AS7C31025B-12TJIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥23.47811

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2-3 工作日

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合计: ¥5,165.18354

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AS7C1024B-12JIN
AS7C1024B-12JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥28.50162

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合计: ¥5,985.34083

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AS7C1025B-15JIN
AS7C1025B-15JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥23.47811

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合计: ¥4,930.40247

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AS7C31025B-12JIN
AS7C31025B-12JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥23.47811

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,930.40247

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AS7C1024B-15TJIN
AS7C1024B-15TJIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥23.47811

0

2-3 工作日

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合计: ¥5,165.18354

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AS6C1008-55STINLTR
AS6C1008-55STINLTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥22.16791

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5-7 工作日

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合计: ¥33,251.86350

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AS7C1026B-15JIN
AS7C1026B-15JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥23.47811

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2-3 工作日

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合计: ¥3,756.49712

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AS7C31026B-12JIN
AS7C31026B-12JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥23.63402

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5-7 工作日

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合计: ¥3,781.44272

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AS4C16M16D2-25BCN
AS4C16M16D2-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5)

¥23.40454

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2-3 工作日

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合计: ¥4,891.54886

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AS4C32M16D2A-25BCNTR
AS4C32M16D2A-25BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5)

¥23.83543

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2-3 工作日

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合计: ¥59,588.57000

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AS6C1008-55TINLTR
AS6C1008-55TINLTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥22.16791

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AS7C1026B-15JINTR
AS7C1026B-15JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥22.16791

0

5-7 工作日

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合计: ¥22,167.90900

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AS7C31026B-12JINTR
AS7C31026B-12JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥22.16791

0

5-7 工作日

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合计: ¥22,167.90900

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AS4C8M16D1A-5TINTR
AS4C8M16D1A-5TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥22.28003

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2-3 工作日

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合计: ¥22,280.03000

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AS7C1024B-15TJINTR
AS7C1024B-15TJINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥22.16791

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥22,167.90900

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AS4C4M16D1A-5TANTR
AS4C4M16D1A-5TANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥22.28003

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥22,280.03000

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AS4C16M16D1A-5TINTR
AS4C16M16D1A-5TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥25.29624

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2-3 工作日

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合计: ¥25,296.24100

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AS7C1024B-20TJINTR
AS7C1024B-20TJINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥25.29624

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2-3 工作日

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合计: ¥25,296.24100

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AS7C164A-15JIN
AS7C164A-15JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥22.23976

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AS4C512M8D4-83BIN
AS4C512M8D4-83BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6)

¥90.17411

187

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