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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C16M16MD1-6BCNTR
AS4C16M16MD1-6BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9)

¥25.29624

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2-3 工作日

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合计: ¥25,296.24100

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AS6C2008A-55TIN
AS6C2008A-55TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥24.29015

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5-7 工作日

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合计: ¥3,789.26371

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AS4C4M16SA-6TANTR
AS4C4M16SA-6TANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥21.08195

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2-3 工作日

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合计: ¥21,081.95200

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AS4C2M32D1A-5BCNTR
AS4C2M32D1A-5BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)

¥21.08195

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2-3 工作日

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合计: ¥31,622.92800

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AS7C164A-15JCN
AS7C164A-15JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥18.91701

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2-3 工作日

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合计: ¥4,729.25150

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AS7C1024B-20TCN
AS7C1024B-20TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥15.98487

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2-3 工作日

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合计: ¥2,493.63972

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AS6C1008-55STINL
AS6C1008-55STINL
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥23.54775

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5-7 工作日

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合计: ¥5,510.17444

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AS7C31024B-20TCN
AS7C31024B-20TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥24.94665

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,891.67709

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AS7C256A-12TINTR
AS7C256A-12TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.83638

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15,836.38400

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AS7C256A-15TINTR
AS7C256A-15TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥15.92181

0

2-3 工作日

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合计: ¥15,921.81400

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AS7C1026B-20TCN
AS7C1026B-20TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥24.94672

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,367.80720

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AS7C31026B-20TCN
AS7C31026B-20TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥24.78128

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2-3 工作日

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合计: ¥3,345.47253

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AS4C1M16S-6TINTR
AS4C1M16S-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥15.92181

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2-3 工作日

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合计: ¥15,921.81400

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AS4C8M16SA-6TCNTR
AS4C8M16SA-6TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥19.27433

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2-3 工作日

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合计: ¥19,274.32700

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AS4C8M16SA-7TCNTR
AS4C8M16SA-7TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥23.38352

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2-3 工作日

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合计: ¥23,383.52200

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AS6C1016-55BIN
AS6C1016-55BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥22.05717

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合计: ¥10,587.43968

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AS7C31025B-12TJINTR
AS7C31025B-12TJINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥22.16791

0

5-7 工作日

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合计: ¥22,167.90900

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AS7C1024B-12JINTR
AS7C1024B-12JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥22.16791

0

5-7 工作日

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合计: ¥22,167.90900

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AS7C31025B-12JINTR
AS7C31025B-12JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥22.16791

0

5-7 工作日

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合计: ¥22,167.90900

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AS6C1008-55TINL
AS6C1008-55TINL
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥23.47811

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2-3 工作日

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合计: ¥3,662.58469

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