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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS6C62256-55STCNTR
AS6C62256-55STCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-sTSOP

¥17.66362

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5-7 工作日

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合计: ¥26,495.43300

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AS6C1008-55STINTR
AS6C1008-55STINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥17.66362

0

5-7 工作日

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合计: ¥26,495.43300

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AS6C1008-55TINTR
AS6C1008-55TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥17.66362

0

5-7 工作日

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合计: ¥26,495.43300

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AS4C16M16SA-6TCNTR
AS4C16M16SA-6TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥24.68669

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合计: ¥24,686.69300

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AS4C16M16SA-7TCNTR
AS4C16M16SA-7TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥21.40775

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2-3 工作日

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合计: ¥21,407.74500

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AS7C1025B-12JCN
AS7C1025B-12JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥22.97723

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5-7 工作日

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合计: ¥4,825.21851

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AS7C1026B-12JCN
AS7C1026B-12JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥22.82652

0

2-3 工作日

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合计: ¥3,652.24336

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AS7C256A-20JINTR
AS7C256A-20JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥17.66370

0

5-7 工作日

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合计: ¥17,663.69500

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AS6C6264-55PIN
AS6C6264-55PIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥26.25986

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,938.97870

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AS7C256A-15TCN
AS7C256A-15TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥14.34540

0

2-3 工作日

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合计: ¥3,356.82266

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AS7C256A-20TIN
AS7C256A-20TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥17.72526

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5-7 工作日

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合计: ¥4,147.71061

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AS7C3256A-20JIN
AS7C3256A-20JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥17.72540

0

5-7 工作日

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合计: ¥4,431.35100

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AS7C31026B-12JCN
AS7C31026B-12JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥22.82652

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2-3 工作日

- +

合计: ¥3,652.24336

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AS4C1M16S-6TCNTR
AS4C1M16S-6TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥14.08266

0

2-3 工作日

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合计: ¥14,082.66000

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AS7C3256A-10TCN
AS7C3256A-10TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥27.42966

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,418.54021

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AS7C3256A-15TCN
AS7C3256A-15TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥14.34540

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,356.82266

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AS6C2008-55BINTR
AS6C2008-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥22.52484

0

5-7 工作日

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合计: ¥45,049.68000

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AS6C1008-55BINTR
AS6C1008-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥22.63735

0

2-3 工作日

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合计: ¥45,274.70200

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AS6C2016-55BINTR
AS6C2016-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥22.52484

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5-7 工作日

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合计: ¥45,049.68000

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AS4C2M32S-7BCNTR
AS4C2M32S-7BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥22.63735

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合计: ¥45,274.70200

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