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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C2M32SA-7TCN
AS4C2M32SA-7TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥29.04403

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5-7 工作日

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合计: ¥29.04403

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AS4C2M32D1A-5BCN
AS4C2M32D1A-5BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)

¥18.29695

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2-3 工作日

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AS7C1024B-12TJCN
AS7C1024B-12TJCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥29.04403

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.04403

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AS4C16M16SA-7BCN
AS4C16M16SA-7BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥42.94160

2659

2-3 工作日

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合计: ¥42.94160

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AS1C1M16P-70BIN
AS1C1M16P-70BIN
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.6伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x7)

¥30.70990

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5-7 工作日

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合计: ¥30.70990

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AS4C32M8SA-6TIN
AS4C32M8SA-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥34.29233

1

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合计: ¥34.29233

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AS4C8M32MD2A-25BCN
AS4C8M32MD2A-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥38.96680

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5-7 工作日

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合计: ¥38.96680

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AS4C32M16D3L-12BCN
AS4C32M16D3L-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥28.20736

1

2-3 工作日

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合计: ¥28.20736

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AS4C128M8D3B-12BIN
AS4C128M8D3B-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥40.94481

1242

2-3 工作日

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合计: ¥40.94481

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AS6C6416-55BIN
AS6C6416-55BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10)

¥178.04056

90

2-3 工作日

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合计: ¥178.04056

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AS4C256M32MD4-062BAN
AS4C256M32MD4-062BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-FBGA (10x14.5)

¥212.72397

821

5-7 工作日

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合计: ¥212.72397

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AS6C62256-55SCN
AS6C62256-55SCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥24.98801

7771

5-7 工作日

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合计: ¥24.98801

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AS4C4M16SA-6BIN
AS4C4M16SA-6BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥119.80771

10504

2-3 工作日

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合计: ¥119.80771

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AS4C64M8D3-12BCN
AS4C64M8D3-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥40.09354

1

2-3 工作日

- +

合计: ¥40.09354

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AS4C8M16SA-6BINTR
AS4C8M16SA-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥27.54526

65978

2-3 工作日

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合计: ¥27.54526

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AS6C1008-55PCN
AS6C1008-55PCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PDIP

¥29.04403

8866

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.04403

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AS4C2M32SA-6TCN
AS4C2M32SA-6TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥27.91309

10278

2-3 工作日

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合计: ¥27.91309

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AS7C32096A-10TIN
AS7C32096A-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥45.55784

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AS5F32G04SND-08LIN
AS5F32G04SND-08LIN
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (6x8)

¥55.91519

0

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合计: ¥55.91519

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AS4C4M16SA-6BAN
AS4C4M16SA-6BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥21.95424

4709

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