品牌介绍
Alliance Memory，Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器（DSP）和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM；同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM（SDR）、DDR1、DDR2和DDR3产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥81.33777 | 47 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.33777 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥59.34685 | 164 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59.34685 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥43.67727 | 1963 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥43.67727 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥11.39224 | 594 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.39224 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥31.94119 | 469 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.94119 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥24.98801 | 3799 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.98801 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥31.15000 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥31.15000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥32.99865 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,589.68996 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥24.91790 | 95 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24.91790 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥55.33576 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.33576 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥18.90397 | 473 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.90397 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥19.77312 | 222 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.77312 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥21.51141 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.51141 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥22.38056 | 849 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.38056 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥29.04403 | 71 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.04403 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥20.44088 | 191 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20.44088 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥36.50422 | 5541 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.50422 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥19.77312 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.77312 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥29.06913 | 1341 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29.06913 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥12.01230 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.01230 | 立即购买 加入购物车 |