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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C32M16SB-7TIN
AS4C32M16SB-7TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥111.61034

952

2-3 工作日

- +

合计: ¥111.61034

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AS4C32M16SB-6TIN
AS4C32M16SB-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥213.48893

1044

2-3 工作日

- +

合计: ¥213.48893

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AS7C316098A-10TIN
AS7C316098A-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥178.24777

832

5-7 工作日

- +

合计: ¥178.24777

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AS7C316098A-10BIN
AS7C316098A-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥179.62392

907

5-7 工作日

- +

合计: ¥179.62392

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AS4C512M16D3LB-12BCN
AS4C512M16D3LB-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(13.5x9)

¥219.45987

129

5-7 工作日

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合计: ¥219.45987

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AS6C6416-55TIN
AS6C6416-55TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥725.15191

2831

2-3 工作日

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合计: ¥725.15191

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AS4C1G8D4-75BCN
AS4C1G8D4-75BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x12)

¥96.83757

267

5-7 工作日

- +

合计: ¥96.83757

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AS6C3216A-55TIN
AS6C3216A-55TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥134.47890

1518

2-3 工作日

- +

合计: ¥134.47890

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AS7C256A-15TIN
AS7C256A-15TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥21.51141

2587

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.51141

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MT41K512M16HA-125:ATR
MT41K512M16HA-125:ATR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥203.38063

4265

5-7 工作日

- +

合计: ¥203.38063

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AS4C512M8D3LC-12BCNTR
AS4C512M8D3LC-12BCNTR
512M X 8, 1.35V, 800MHZ, DDR3-16

¥82.06206

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥82.06206

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AS4C1G8D3LA-10BCN
AS4C1G8D3LA-10BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥244.23957

1265

2-3 工作日

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合计: ¥244.23957

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AS4C512M16D3LB-12BIN
AS4C512M16D3LB-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(13.5x9)

¥238.72598

1194

5-7 工作日

- +

合计: ¥238.72598

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AS4C512M16D3LA-10BIN
AS4C512M16D3LA-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.275V~1.455V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(13.5x9)

¥275.74689

4861

2-3 工作日

- +

合计: ¥275.74689

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AS4C256M32MD4V-062BAN
AS4C256M32MD4V-062BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-FBGA (10x14.5)

¥212.72397

0

5-7 工作日

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合计: ¥212.72397

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M29F800FT55N3E2
M29F800FT55N3E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥31.94119

0

5-7 工作日

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合计: ¥31.94119

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AS5F12G04SND-10LIN
AS5F12G04SND-10LIN
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.98伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (6x8)

¥55.91519

494

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.91519

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AS5F31G04SND-08LIN
AS5F31G04SND-08LIN
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (6x8)

¥55.91519

792

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.91519

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AS4C16M16SB-7TCN
AS4C16M16SB-7TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥34.57608

145

2-3 工作日

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合计: ¥34.57608

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AS4C32M16D2A-25BCN
AS4C32M16D2A-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥32.37576

220

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.37576

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