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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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AS7C34098A-12TINTR
AS7C34098A-12TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥33.03994

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AS7C34098A-15TCNTR
AS7C34098A-15TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

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AS7C34098A-15TINTR
AS7C34098A-15TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥33.20986

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AS7C4096A-12TCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

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AS7C4096A-12TINTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

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AS7C4096A-15TCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

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AS7C4096A-15TINTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

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AS7C4098A-12TCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥33.20986

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AS7C4098A-12TINTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

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AS7C4098A-15TCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

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AS7C4098A-15TINTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

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AS7C34098A-10BINTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-MiniBGA (8x10)

¥33.03994

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AS4C32M16D1A-5TANTR
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥33.03994

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AS7C316098A-10BINTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥136.34759

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5-7 工作日

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AS7C316096C-10BINTR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥136.34759

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合计: ¥136,347.59300

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AS7C316096B-10BINTR
AS7C316096B-10BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥136.34759

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合计: ¥136,347.59300

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AS7C351232-10BINTR
AS7C351232-10BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥137.43403

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合计: ¥274,868.05600

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AS4C256M8D2-25BCN
AS4C256M8D2-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥89.86042

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合计: ¥12,221.01644

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AS4C16M16SA-6TANTR
AS4C16M16SA-6TANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥36.06843

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合计: ¥36,068.42500

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AS7C351232-10BIN
AS7C351232-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥138.03157

240

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