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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS7C256A-12JIN
AS7C256A-12JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥20.68259

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2-3 工作日

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合计: ¥5,170.64825

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AS7C256A-15JIN
AS7C256A-15JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥17.06891

0

5-7 工作日

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合计: ¥4,267.22700

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AS4C512M8D3L-12BAN
AS4C512M8D3L-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥91.76754

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥91.76754

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AS7C256A-20JCN
AS7C256A-20JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥16.95174

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2-3 工作日

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合计: ¥4,237.93475

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AS4C8M32SA-7BCNTR
AS4C8M32SA-7BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥43.67727

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2-3 工作日

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合计: ¥87,354.53000

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AS4C128M8D3LB-12BCN
AS4C128M8D3LB-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥40.33526

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2-3 工作日

- +

合计: ¥9,761.13316

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AS6C6416-55TINTR
AS6C6416-55TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥171.65673

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5-7 工作日

- +

合计: ¥257,485.09500

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AS4C16M16D1A-5TIN
AS4C16M16D1A-5TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥26.91607

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,906.93502

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AS7C1024B-20TJIN
AS7C1024B-20TJIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥26.91628

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5-7 工作日

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合计: ¥5,921.58204

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AS4C4M32SA-6TCNTR
AS4C4M32SA-6TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥26.96097

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26,960.97100

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AS4C4M32SA-7TCNTR
AS4C4M32SA-7TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥26.96097

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26,960.97100

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AS6C2008-55SIN
AS6C2008-55SIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥27.09047

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,950.51413

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AS6C2008A-55SIN
AS6C2008A-55SIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥27.09047

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,950.51413

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AS4C8M16SA-6BANTR
AS4C8M16SA-6BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥29.92040

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2-3 工作日

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合计: ¥74,800.99500

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AS7C3513B-12TCNTR
AS7C3513B-12TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥27.56010

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,560.10400

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AS7C3513B-15TCNTR
AS7C3513B-15TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥27.56010

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,560.10400

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AS7C3513B-20TCNTR
AS7C3513B-20TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥27.70291

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥27,702.90500

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AS7C513B-12TCNTR
AS7C513B-12TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥27.56010

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,560.10400

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AS7C513B-15TCNTR
AS7C513B-15TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥27.56010

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,560.10400

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AS4C32M16D1-5BCNTR
AS4C32M16D1-5BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-BGA

¥27.70291

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥69,257.26250

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