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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS7C1024C-12TJINTR
AS7C1024C-12TJINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥30.19167

0

5-7 工作日

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合计: ¥30,191.66700

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AS7C1024C-12JINTR
AS7C1024C-12JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥30.19167

0

5-7 工作日

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合计: ¥30,191.66700

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AS7C1025C-15JINTR
AS7C1025C-15JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥30.19167

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30,191.66700

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AS7C31025C-12JINTR
AS7C31025C-12JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥30.19167

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5-7 工作日

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合计: ¥30,191.66700

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AS7C1026C-15TINTR
AS7C1026C-15TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥30.19167

0

5-7 工作日

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合计: ¥45,287.50050

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AS7C31025C-12TINTR
AS7C31025C-12TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥30.19167

0

5-7 工作日

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合计: ¥30,191.66700

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AS7C3513B-12TCN
AS7C3513B-12TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥29.99396

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2-3 工作日

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合计: ¥4,049.18514

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AS7C1024B-15JCN
AS7C1024B-15JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥71.70596

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合计: ¥15,058.25223

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AS7C3513B-15TCN
AS7C3513B-15TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥29.99396

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2-3 工作日

- +

合计: ¥4,049.18514

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AS4C8M32S-6TIN
AS4C8M32S-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥49.49074

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2-3 工作日

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合计: ¥5,344.99949

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AS4C4M32MSA-6BIN
AS4C4M32MSA-6BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥36.94451

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合计: ¥7,019.45728

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AS6C4008A-55ZIN
AS6C4008A-55ZIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥36.94466

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合计: ¥4,987.52869

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AS7C38096A-10TINTR
AS7C38096A-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥84.19871

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5-7 工作日

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合计: ¥84,198.71300

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AS7C38098A-10TINTR
AS7C38098A-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥84.19871

0

5-7 工作日

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合计: ¥84,198.71300

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AS4C128M16D3LA-12BCN
AS4C128M16D3LA-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥48.96200

20

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合计: ¥48.96200

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PC28F512P30EFB
PC28F512P30EFB
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥55.40819

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合计: ¥110,816.37000

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AS6C4008A-55TIN
AS6C4008A-55TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥36.94480

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合计: ¥5,763.38911

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AS7C3513B-20TCN
AS7C3513B-20TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥30.19862

0

5-7 工作日

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合计: ¥4,076.81370

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AS7C513B-12TCN
AS7C513B-12TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥30.19862

0

5-7 工作日

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合计: ¥4,076.81370

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AS7C1025B-15JCN
AS7C1025B-15JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥22.82652

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2-3 工作日

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合计: ¥4,793.56941

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