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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS7C31026B-10TCNTR
AS7C31026B-10TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥20.37051

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5-7 工作日

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合计: ¥20,370.51100

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AS8C401825-QC75N
AS8C401825-QC75N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥31.63344

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2-3 工作日

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合计: ¥3,163.34380

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AS8C803625-QC75N
AS8C803625-QC75N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥61.32563

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5-7 工作日

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合计: ¥6,132.56340

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AS7C31026B-12TCNTR
AS7C31026B-12TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥20.37051

0

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合计: ¥20,370.51100

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AS8C403600-QC150N
AS8C403600-QC150N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥31.84848

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合计: ¥3,184.84800

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AS7C31026B-15TCNTR
AS7C31026B-15TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥20.47241

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合计: ¥20,472.40500

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AS8C403601-QC166N
AS8C403601-QC166N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥31.84848

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5-7 工作日

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合计: ¥3,184.84800

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AS8C403625-QC75N
AS8C403625-QC75N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥31.84848

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,184.84800

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AS7C164A-15PIN
AS7C164A-15PIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥31.63344

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2-3 工作日

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合计: ¥4,745.01570

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AS7C1026C-15JINTR
AS7C1026C-15JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥31.90063

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5-7 工作日

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合计: ¥31,900.62900

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AS4C32M16MD1A-5BCNTR
AS4C32M16MD1A-5BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9)

¥30.47740

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2-3 工作日

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合计: ¥60,954.79800

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AS4C64M16D2A-25BCNTR
AS4C64M16D2A-25BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥28.81691

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2-3 工作日

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合计: ¥72,042.26500

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AS4C64M8D3-12BCNTR
AS4C64M8D3-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥28.81691

0

2-3 工作日

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合计: ¥72,042.26500

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AS6C1616-70BINTR
AS6C1616-70BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥73.70276

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2-3 工作日

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合计: ¥147,405.51600

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AS4C64M8D3L-12BCNTR
AS4C64M8D3L-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥28.66914

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5-7 工作日

- +

合计: ¥71,672.84000

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AS7C1026C-15JIN
AS7C1026C-15JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥34.79678

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2-3 工作日

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合计: ¥5,567.48512

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AS6C1616-55BINTR
AS6C1616-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥70.07506

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5-7 工作日

- +

合计: ¥140,150.11600

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AS6C1616-70BIN
AS6C1616-70BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥73.87816

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35,461.51632

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AS7C316096A-10TIN
AS7C316096A-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥139.61802

0

2-3 工作日

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合计: ¥21,780.41034

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AS7C31026C-12TINTR
AS7C31026C-12TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥28.90098

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2-3 工作日

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合计: ¥43,351.47300

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