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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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AS6C1608-55BINTR
AS6C1608-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10)

¥69.53184

0

5-7 工作日

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合计: ¥69,531.84000

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AS4C64M4SA-7TCNTR
AS4C64M4SA-7TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥25.76271

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5-7 工作日

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合计: ¥25,762.70600

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AS4C8M16D1-5BCNTR
AS4C8M16D1-5BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥22.63735

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2-3 工作日

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合计: ¥56,593.37750

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AS4C16M32SC-7TINTR
AS4C16M32SC-7TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥94.44841

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2-3 工作日

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合计: ¥94,448.40800

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AS4C4M16SA-6BANTR
AS4C4M16SA-6BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥22.63735

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合计: ¥56,593.37750

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AS4C256M16MD4-062BAN
AS4C256M16MD4-062BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-FBGA (10x14.5)

¥122.76716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥83,481.66540

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AS4C32M16SB-7BINTR
AS4C32M16SB-7BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥93.97663

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5-7 工作日

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合计: ¥234,941.57000

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AS4C128M32MD4-062BAN
AS4C128M32MD4-062BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-FBGA (10x14.5)

¥122.76716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥83,481.66540

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AS7C1024B-12TCNTR
AS7C1024B-12TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥20.37051

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,370.51100

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AS7C1024B-15TCNTR
AS7C1024B-15TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥20.47241

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2-3 工作日

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合计: ¥20,472.40500

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AS7C31024B-10TCNTR
AS7C31024B-10TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥20.37051

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,370.51100

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M29F400FB55M3F2
M29F400FB55M3F2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥25.50616

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,753.08100

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AS7C31024B-12TCNTR
AS7C31024B-12TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥20.37051

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,370.51100

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AS7C31024B-15TCNTR
AS7C31024B-15TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥20.37051

0

5-7 工作日

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合计: ¥20,370.51100

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AS7C1026B-10TCNTR
AS7C1026B-10TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥20.47241

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥20,472.40500

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AS7C1026B-12TCNTR
AS7C1026B-12TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥20.37051

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,370.51100

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AS8C803601-QC150N
AS8C803601-QC150N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥60.91276

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,091.27600

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AS7C1026B-15TCNTR
AS7C1026B-15TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥20.37051

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,370.51100

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AS8C803625A-QC75N
AS8C803625A-QC75N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥61.32563

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5-7 工作日

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合计: ¥6,132.56340

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AS8C401801-QC166N
AS8C401801-QC166N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥31.84848

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5-7 工作日

- +

合计: ¥3,184.84800

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