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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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AS4C64M4SA-6TINTR
AS4C64M4SA-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥28.90098

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合计: ¥28,900.98200

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AS7C34096B-10TIN
AS7C34096B-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥38.85577

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5-7 工作日

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合计: ¥5,245.52868

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AS7C34098B-10TIN
AS7C34098B-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥38.85577

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5-7 工作日

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合计: ¥5,245.52868

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AS4C64M32MD1-5BINTR
AS4C64M32MD1-5BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥96.62386

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2-3 工作日

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合计: ¥96,623.86400

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AS4C64M16D3B-12BCNTR
AS4C64M16D3B-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥35.28509

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5-7 工作日

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合计: ¥70,570.18200

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AS4C64M16D3LB-12BCNTR
AS4C64M16D3LB-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥35.46939

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2-3 工作日

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合计: ¥70,938.77400

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AS4C32M16D1-5BINTR
AS4C32M16D1-5BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥31.42578

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5-7 工作日

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合计: ¥78,564.46000

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AS4C4M32SA-6TCN
AS4C4M32SA-6TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥28.88577

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5-7 工作日

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合计: ¥3,119.66338

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AS4C128M16D3LC-12BINTR
AS4C128M16D3LC-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13)

¥51.27365

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5-7 工作日

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合计: ¥76,910.47200

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AS4C64M8D1-5BCNTR
AS4C64M8D1-5BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x13)

¥28.59621

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2-3 工作日

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合计: ¥71,490.52000

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AS4C64M16D1-6TINTR
AS4C64M16D1-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥166.50118

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2-3 工作日

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合计: ¥166,501.18300

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AS4C64M16D1-6TCNTR
AS4C64M16D1-6TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥144.12657

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2-3 工作日

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合计: ¥144,126.56900

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AS4C32M16SB-7BIN
AS4C32M16SB-7BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥94.82868

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5-7 工作日

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合计: ¥33,000.38134

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PC28F640P33TF60A
PC28F640P33TF60A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥39.11166

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5-7 工作日

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合计: ¥70,400.98800

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AS7C34096A-8TINTR
AS7C34096A-8TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥35.50092

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2-3 工作日

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合计: ¥35,500.91500

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AS7C34096B-10TINTR
AS7C34096B-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥35.31855

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5-7 工作日

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合计: ¥35,318.55300

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AS4C64M16D1A-6TINTR
AS4C64M16D1A-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥144.66255

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2-3 工作日

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合计: ¥144,662.55000

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MT48LC64M8A2TG-75:IT:C
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥122.95003

108

2-3 工作日

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合计: ¥122.95003

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AS7C31026C-12JIN
AS7C31026C-12JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥32.05121

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5-7 工作日

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合计: ¥8,333.31434

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AS7C34098B-10TINTR
AS7C34098B-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥35.31855

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5-7 工作日

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合计: ¥35,318.55300

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