Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥28.90098 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥28,900.98200 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥38.85577 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,245.52868 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥38.85577 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,245.52868 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥96.62386 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥96,623.86400 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13) | ¥35.28509 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70,570.18200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13) | ¥35.46939 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥70,938.77400 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥31.42578 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78,564.46000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥28.88577 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,119.66338 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13) | ¥51.27365 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76,910.47200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x13) | ¥28.59621 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥71,490.52000 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥166.50118 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥166,501.18300 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥144.12657 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥144,126.56900 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥94.82868 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,000.38134 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13) | ¥39.11166 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70,400.98800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥35.50092 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥35,500.91500 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥35.31855 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,318.55300 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥144.66255 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥144,662.55000 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥122.95003 | 108 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥122.95003 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥32.05121 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,333.31434 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥35.31855 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,318.55300 | 添加到BOM 立即询价 |