品牌介绍
Alliance Memory，Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器（DSP）和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM；同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM（SDR）、DDR1、DDR2和DDR3产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥34.92290 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34,922.89500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥21.68099 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥21,680.99100 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5) | ¥88.43700 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥176,874.00800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥34.74890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,748.89900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥33.20986 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33,209.85500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥34.74890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,748.89900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（13.5x9） | ¥190.66934 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥381,338.68600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥34.74890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,748.89900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥28.22920 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,048.75392 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥34.74890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,748.89900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13） | ¥31.33098 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46,996.46250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥34.74890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,748.89900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥21.66431 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,924.68199 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) | ¥15.06523 | 461 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.06523 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13） | ¥31.33098 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46,996.46250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥111.35959 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥222,719.17600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-FBGA (8x8) | ¥34.92290 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34,922.89500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (10.5x13.5) | ¥93.35543 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥233,388.56500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥34.74890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,748.89900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥19.77138 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,771.37900 | 添加到BOM 立即询价 |