品牌介绍
Alliance Memory，Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器（DSP）和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM；同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM（SDR）、DDR1、DDR2和DDR3产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥25.62203 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥64,055.08500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥92.89019 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥92,890.19300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥93.35543 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥93,355.42600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥19.87337 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19,873.36600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥19.87337 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19,873.36600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥92.26244 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥92,262.44300 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-MiniBGA (8x10) | ¥33.90083 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,272.39744 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20） | ¥112.59823 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,259.82250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥31.51183 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,585.97247 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP | ¥31.51190 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,726.78530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥31.51198 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,403.29330 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏～1.98伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (6x8) | ¥81.84745 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,810.30240 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10) | ¥145.81859 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥32,080.08980 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6) | ¥67.94260 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,442.10993 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥31.52183 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,130.47600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥136.34759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥136,347.59300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥22.04882 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥55,122.05500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥28.59621 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥57,192.41600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥38.56844 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥96,421.10750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10) | ¥28.59621 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥57,192.41600 | 立即购买 加入购物车 |