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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C64M8D3-12BIN
AS4C64M8D3-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥34.90238

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5-7 工作日

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合计: ¥8,446.37499

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AS7C31026C-12JINTR
AS7C31026C-12JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥28.48270

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5-7 工作日

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合计: ¥28,482.70400

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AS4C64M8D1-5TINTR
AS4C64M8D1-5TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥28.62774

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2-3 工作日

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合计: ¥28,627.73600

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AS4C32M16D1A-5TINTR
AS4C32M16D1A-5TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥28.48270

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5-7 工作日

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合计: ¥28,482.70400

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AS7C31026C-12BINTR
AS7C31026C-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-BGA (7x7)

¥28.48270

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合计: ¥42,724.05600

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PF48F4000P0ZBQEF
PF48F4000P0ZBQEF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 88-SCSP (8x11)

¥65.18610

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合计: ¥68,836.52160

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AS8C801800-QC150N
AS8C801800-QC150N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥61.32563

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合计: ¥6,132.56340

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AS4C64M8D3L-12BIN
AS4C64M8D3L-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥34.56557

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合计: ¥8,364.86891

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AS8C801801-QC150N
AS8C801801-QC150N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥60.91276

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2-3 工作日

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合计: ¥6,091.27600

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PC48F4400P0TB0EE
PC48F4400P0TB0EE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥65.18610

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合计: ¥56,320.79040

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PF48F4400P0VBQEK
PF48F4400P0VBQEK
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥65.18610

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5-7 工作日

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合计: ¥130,372.20000

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AS4C1M16S-6TCN
AS4C1M16S-6TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥14.79730

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2-3 工作日

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合计: ¥1,731.28445

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AS4C16M16SA-6BANTR
AS4C16M16SA-6BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥34.18243

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5-7 工作日

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合计: ¥85,456.08000

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AS8C801825A-QC75N
AS8C801825A-QC75N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥60.91276

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2-3 工作日

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合计: ¥6,091.27600

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AS4C32M16D1A-5TCNTR
AS4C32M16D1A-5TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥25.89528

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2-3 工作日

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合计: ¥25,895.28000

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AS4C128M16MD4-062BAN
AS4C128M16MD4-062BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-FBGA (10x14.5)

¥68.36486

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5-7 工作日

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合计: ¥46,488.10752

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AS8C801825-QC75N
AS8C801825-QC75N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥61.32563

0

5-7 工作日

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合计: ¥6,132.56340

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AS8C803600-QC150N
AS8C803600-QC150N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥60.91276

0

2-3 工作日

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合计: ¥6,091.27600

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AS4C64M16D1A-6TCNTR
AS4C64M16D1A-6TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥121.68072

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5-7 工作日

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合计: ¥121,680.72000

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AS6C1616-55TINTR
AS6C1616-55TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥69.53184

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5-7 工作日

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合计: ¥104,297.76000

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