Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12) | ¥28.48270 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42,724.05600 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥94.39586 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,439.58610 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-BGA (7x7) | ¥32.05121 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,538.43524 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-BGA | ¥31.73853 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,617.24792 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥94.10160 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥235,253.99000 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5) | ¥73.87758 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥147,755.16000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥135.26116 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135,261.15800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (10.5x13.5) | ¥80.25014 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥200,625.36000 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥31.85414 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,440.24680 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥43.36143 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,062.53929 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥84.74193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥211,854.82500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10) | ¥73.91295 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,978.24785 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥135.26116 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135,261.15800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥135.26116 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135,261.15800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥135.26116 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135,261.15800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥135.26116 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135,261.15800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥95.38001 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,192.24418 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9) | ¥45.43234 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥45,432.34300 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥134.87825 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥64,741.56192 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8, 128K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO | ¥30.13046 | 28 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.13046 | 添加到BOM 立即询价 |