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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C4M32D1A-5BINTR
AS4C4M32D1A-5BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)

¥28.48270

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合计: ¥42,724.05600

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AS8C163631-QC166N
AS8C163631-QC166N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥94.39586

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合计: ¥9,439.58610

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AS7C31026C-12BIN
AS7C31026C-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-BGA (7x7)

¥32.05121

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合计: ¥11,538.43524

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AS4C32M16D1-5BCN
AS4C32M16D1-5BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-BGA

¥31.73853

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合计: ¥7,617.24792

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AS4C16M16D1-5BCNTR
AS4C16M16D1-5BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥94.10160

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合计: ¥235,253.99000

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AS4C128M32MD2A-25BINTR
AS4C128M32MD2A-25BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥73.87758

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5-7 工作日

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合计: ¥147,755.16000

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AS7C316096A-10TINTR
AS7C316096A-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥135.26116

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5-7 工作日

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合计: ¥135,261.15800

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AS4C128M16D2-25BCNTR
AS4C128M16D2-25BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (10.5x13.5)

¥80.25014

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2-3 工作日

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合计: ¥200,625.36000

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AS4C64M8D1-5TIN
AS4C64M8D1-5TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥31.85414

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2-3 工作日

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合计: ¥3,440.24680

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AS4C64M16D2A-25BAN
AS4C64M16D2A-25BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥43.36143

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5-7 工作日

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合计: ¥9,062.53929

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AS4C128M16D2A-25BINTR
AS4C128M16D2A-25BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5)

¥84.74193

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5-7 工作日

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合计: ¥211,854.82500

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AS6C1608-55BIN
AS6C1608-55BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10)

¥73.91295

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2-3 工作日

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合计: ¥9,978.24785

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AS7C316098A-10TINTR
AS7C316098A-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥135.26116

0

5-7 工作日

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合计: ¥135,261.15800

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AS7C316096B-10TINTR
AS7C316096B-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥135.26116

0

5-7 工作日

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合计: ¥135,261.15800

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AS7C316096C-10TINTR
AS7C316096C-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥135.26116

0

5-7 工作日

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合计: ¥135,261.15800

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AS7C316098B-10TINTR
AS7C316098B-10TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥135.26116

0

5-7 工作日

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合计: ¥135,261.15800

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AS4C64M32MD1-5BIN
AS4C64M32MD1-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥95.38001

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合计: ¥33,192.24418

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AS4C64M16MD1A-5BINTR
AS4C64M16MD1A-5BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9)

¥45.43234

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合计: ¥45,432.34300

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AS7C316096C-10BIN
AS7C316096C-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥134.87825

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合计: ¥64,741.56192

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M29F200FB55M3F2
M29F200FB55M3F2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8, 128K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥30.13046

28

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合计: ¥30.13046

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