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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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AS6C2008-55SINTR
AS6C2008-55SINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥22.76704

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥22,767.04200

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AS6C4016-55BINTR
AS6C4016-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥29.77180

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥59,543.59200

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AS7C34096A-15TIN
AS7C34096A-15TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥36.30786

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,901.56124

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AS6C2008A-55SINTR
AS6C2008A-55SINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥22.76704

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥22,767.04200

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AS6C2008-55STINTR
AS6C2008-55STINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥22.76704

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥34,150.56300

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AS6C2008A-55STINTR
AS6C2008A-55STINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥22.76704

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥34,150.56300

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AS8C401800-QC150N
AS8C401800-QC150N
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥36.06843

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2-3 工作日

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合计: ¥3,606.84250

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AS4C64M16D3B-12BANTR
AS4C64M16D3B-12BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥45.08705

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5-7 工作日

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合计: ¥90,174.10600

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AS4C64M16D3LB-12BANTR
AS4C64M16D3LB-12BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥45.31674

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥90,633.47800

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AS6C2008-55TINTR
AS6C2008-55TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥22.76704

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥34,150.56300

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AS6C2008A-55TINTR
AS6C2008A-55TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥22.88958

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2-3 工作日

- +

合计: ¥34,334.36700

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AS6C2016-55ZINTR
AS6C2016-55ZINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥22.76704

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥22,767.04200

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AS4C64M8D2-25BANTR
AS4C64M8D2-25BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥36.38775

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5-7 工作日

- +

合计: ¥72,775.50000

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AS4C8M32SA-6BINTR
AS4C8M32SA-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥48.58518

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥97,170.35600

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AS4C64M32MD1-5BCNTR
AS4C64M32MD1-5BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥85.16857

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2-3 工作日

- +

合计: ¥85,168.56600

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AS4C2M32D1A-5BINTR
AS4C2M32D1A-5BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)

¥25.16357

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5-7 工作日

- +

合计: ¥37,745.35950

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AS4C64M16D3L-12BCN
AS4C64M16D3L-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥30.13046

0

5-7 工作日

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合计: ¥30.13046

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AS6C4008A-55STIN
AS6C4008A-55STIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥36.56237

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2-3 工作日

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合计: ¥8,555.59435

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AS4C128M16D2A-25BCNTR
AS4C128M16D2A-25BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (10.5x13.5)

¥72.06328

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2-3 工作日

- +

合计: ¥180,158.21000

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AS7C34098A-8TINTR
AS7C34098A-8TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥36.87447

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5-7 工作日

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合计: ¥18,437.23650

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