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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C512M8D3A-12BCN
AS4C512M8D3A-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥37.30094

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合计: ¥37.30094

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AS4C512M8D3B-12BCN
AS4C512M8D3B-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥48.83163

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合计: ¥48.83163

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AS4C512M8D3LA-12BAN
AS4C512M8D3LA-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥464.47269

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合计: ¥464.47269

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AS4C512M8D3LA-12BCN
AS4C512M8D3LA-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥25.49501

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合计: ¥25.49501

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AS4C4M32S-6TIN
AS4C4M32S-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥23.36560

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AS4C8M16S-6BIN
AS4C8M16S-6BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥35.01218

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AS4C64M16D3A-12BAN
AS4C64M16D3A-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥51.10590

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AS4C16M16S-6BINTR
AS4C16M16S-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥79.09247

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AS4C2M32S-5TCNTR
AS4C2M32S-5TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥81.88823

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合计: ¥81.88823

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AS4C2M32S-6TCNTR
AS4C2M32S-6TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥87.09732

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AS4C2M32S-6TINTR
AS4C2M32S-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥560.83223

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合计: ¥560.83223

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AS4C32M16MD1-6BCNTR
AS4C32M16MD1-6BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9)

¥338.51866

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AS4C4M16S-6BINTR
AS4C4M16S-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥50.20778

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AS4C4M32S-6TCNTR
AS4C4M32S-6TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥21.29413

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AS4C4M32S-6TINTR
AS4C4M32S-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥149.29066

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AS4C8M16S-6BINTR
AS4C8M16S-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥62.31791

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AS4C512M8D3LA-12BIN
AS4C512M8D3LA-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥46.99194

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AS4C512M8D3LB-12BCN
AS4C512M8D3LB-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥458.57697

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AS4C64M16D3L-12BAN
AS4C64M16D3L-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥50.52647

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AS4C64M16D3LA-12BAN
AS4C64M16D3LA-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥97.95298

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