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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C256M8D3LB-12BCNTR
AS4C256M8D3LB-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥40.40090

0

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合计: ¥40.40090

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AS4C256M8D3LB-12BINTR
AS4C256M8D3LB-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥43.25251

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合计: ¥43.25251

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M45PE80-VMP6G
M45PE80-VMP6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VFQFPN (6x5)

¥54.69838

9000

5-7 工作日

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合计: ¥54.69838

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N25Q032A13ESC40F
N25Q032A13ESC40F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO

¥49.44004

15780

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合计: ¥49.44004

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N25Q032A13EF440F
N25Q032A13EF440F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-UFDFPN (MLP8) (4x3)

¥54.32175

0

5-7 工作日

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合计: ¥54.32175

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M45PE16-VMW6TG
M45PE16-VMW6TG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥18.22314

892

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合计: ¥18.22314

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AS7C316096B-10BIN
AS7C316096B-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥17.16567

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合计: ¥17.16567

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AS4C256M16D3LB-10BCN
AS4C256M16D3LB-10BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(13.5x9)

¥39.95184

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合计: ¥39.95184

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AS4C256M16D3LB-10BIN
AS4C256M16D3LB-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(13.5x9)

¥22.72822

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合计: ¥22.72822

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CY62256NLL-70SNXC
CY62256NLL-70SNXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥9.99520

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合计: ¥9.99520

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JS28F128P33BF70A
JS28F128P33BF70A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 56-TSOP

¥31.46316

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合计: ¥31.46316

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JS28F128J3F75A
JS28F128J3F75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥29.75383

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JS28F320J3F75A
JS28F320J3F75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥158.61951

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PC28F512P30BFB
PC28F512P30BFB
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥23.26420

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JS28F128J3F75B
JS28F128J3F75B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥153.82471

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AS4C32M16SB-7BCNTR
AS4C32M16SB-7BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥33.34631

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AS4C32M16SB-7BCN
AS4C32M16SB-7BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥28.72534

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AS7C31026B-12TIN
AS7C31026B-12TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥21.68524

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AS4C128M16D3LC-12BAN
AS4C128M16D3LC-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13)

¥58.63221

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AS6C1008-55TIN
AS6C1008-55TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥24.11886

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