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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MTFC8GAMALBH-AIT
MTFC8GAMALBH-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13)

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EDFP112A3PB-GD-F-R
EDFP112A3PB-GD-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

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MT28FW512ABA1LPC-0AAT
MT28FW512ABA1LPC-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥18.57080

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MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥483.62292

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MTFC8GAMALNA-AAT
MTFC8GAMALNA-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 供应商设备包装: 100-TBGA(14x18)

¥29.46412

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EDFP112A3PB-JD-F-D
EDFP112A3PB-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥119.84102

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MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDDR2) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)

¥81.83028

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MTFC8GAMALNA-AIT
MTFC8GAMALNA-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 供应商设备包装: 100-TBGA(14x18)

¥38.27148

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EDFP112A3PB-JD-F-R
EDFP112A3PB-JD-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥16.68764

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MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥80.28030

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N25Q512A83G12A0F
N25Q512A83G12A0F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥108.87527

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MT42L16M32D1U67MWC2
MT42L16M32D1U67MWC2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏

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MT29F128G08CBECBL95B3WC1
MT29F128G08CBECBL95B3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

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MT42L32M16D1U67MWC1
MT42L32M16D1U67MWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏

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MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

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MT42L32M16D1U67MWC2
MT42L32M16D1U67MWC2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏

¥79.90367

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MT29F128G08EBHDBB05A3WC1ES
MT29F128G08EBHDBB05A3WC1ES
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥54.91567

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MT29E1T08CUCCBH8-6:C
MT29E1T08CUCCBH8-6:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-LBGA (14x18)

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MT29F16G08ABECBM72A3WC1P
MT29F16G08ABECBM72A3WC1P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥22.25019

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MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1.125Tb(144G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

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