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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥48.58537

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MT29F4G16ABADAWP-IT:D
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥56.01659

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MT29F64G08CBABAWP-M:B
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥85.49519

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MT29F4G16ABBDAHC-IT:D
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥45.29710

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MT29F64G08CBCBBH1-10X:B
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥67.57626

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JS28F640J3F75A
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥28.07348

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MT29F256G08CBCBBWP-10:B
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥27.46508

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MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥582.56093

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MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥50.07741

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EDB4432BBBJ-1D-F-R
EDB4432BBBJ-1D-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥54.59658

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MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥34.02714

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MT29F6T08ETHBBM5-3R:B
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 6Tb (768G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫

¥77.29623

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MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 768Gb (96G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥24.68380

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MT29F8G08ABABAWP-AATX:B
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥32.47716

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MT29F8G08ABABAWP-AITX:B
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥61.92680

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MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)

¥155.09946

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MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)

¥106.31129

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MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)

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MT40A256M16GE-083E:B
MT40A256M16GE-083E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

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MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)

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