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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M
MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥20.80161

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5-7 工作日

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合计: ¥20.80161

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MT40A1G8SA-075:H
MT40A1G8SA-075:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11)

¥42.02331

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合计: ¥42.02331

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MT29F4G16ABADAWP-AIT:D
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥50.20778

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合计: ¥50.20778

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MT29F64G08CBEBBL84A3WC1
MT29F64G08CBEBBL84A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥31.44867

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合计: ¥31.44867

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MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥42.80554

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MT40A1G8Z01AWC1
MT40A1G8Z01AWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 供应商设备包装: Wafer

¥5.89572

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合计: ¥5.89572

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MT49H16M18BM-33
MT49H16M18BM-33
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥79.86746

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合计: ¥79.86746

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MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-LBGA (14x18)

¥15.15215

0

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合计: ¥15.15215

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MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A
MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A
IC MEMORY

¥110.04862

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合计: ¥110.04862

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MT41K1G8THE-15E:D
MT41K1G8THE-15E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (10.5x12)

¥49.25172

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合计: ¥49.25172

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MT29F256G08CECBBH6-6R:B
MT29F256G08CECBBH6-6R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥81.68543

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MT29F512G08CECBBJ4-37:B
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥72.73320

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合计: ¥72.73320

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MT29F384G08EBCBBJ4-37:B
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 384Gb (48G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥37.21402

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MT49H16M36BM-25:A
MT49H16M36BM-25:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥40.16912

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合计: ¥40.16912

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MT29F768G08EECBBJ4-37:B
MT29F768G08EECBBJ4-37:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 768Gb (96G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥59.95673

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合计: ¥59.95673

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MTFC4GACAAEA-WT
MTFC4GACAAEA-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥81.64197

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N2M400FDB311A3CE
N2M400FDB311A3CE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 100-LBGA(14x18)

¥29.72486

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MT29F512G08CKECBH7-12:C
MT29F512G08CKECBH7-12:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥39.51726

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MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥60.69550

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合计: ¥60.69550

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JS28F320J3F75A
JS28F320J3F75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥32.87842

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