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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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EDFA164A2PF-JD-F-D
EDFA164A2PF-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥22.82962

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MT41J256M4JP-15E:G
MT41J256M4JP-15E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

¥51.52599

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EDFA332A3PB-JD-F-D
EDFA332A3PB-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (512M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥55.01707

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MT41J256M8HX-125:D
MT41J256M8HX-125:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥45.77513

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MT25TL01GBBB8E12-0AAT
MT25TL01GBBB8E12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥70.42996

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MT41J256M8HX-15E:D
MT41J256M8HX-15E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥566.10506

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MT25TL01GHBB8E12-0AAT
MT25TL01GHBB8E12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥204.90164

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MT41J256M8HX-187E:D
MT41J256M8HX-187E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥99.72025

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MT41J512M4HX-125:D
MT41J512M4HX-125:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥49.25172

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MT41J512M4HX-15E:D
MT41J512M4HX-15E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥19.28060

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MT29F128G08CECGBJ4-37R:G
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥131.06752

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MT41J512M4HX-187E:D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥15.93438

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MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

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MT41J512M8THD-15E:D
MT41J512M8THD-15E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

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N25Q032A13ESE40F
N25Q032A13ESE40F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOP2

¥31.78185

6000

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MT41J64M16JT-125:G
MT41J64M16JT-125:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

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MT25QL128ABA1ESE-MSIT
MT25QL128ABA1ESE-MSIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP2

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MT25QU128ABA1ESE-MSIT
MT25QU128ABA1ESE-MSIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP2

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MT41J64M16JT-15E:G
MT41J64M16JT-15E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

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MT41K128M16HA-15E:D
MT41K128M16HA-15E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

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