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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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N25Q128A13ESFA0F
N25Q128A13ESFA0F
ICSRLFL 128M 3VUN MICXIP SO16W A

¥1.00456

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.00456

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MTA18ASF2G72PDZ-3G2E1
MTA18ASF2G72PDZ-3G2E1
存储类型: DDR4 SDRAM 存储容量: 16GB 速度: 3.2GT/s 包装/外壳: 288-RDIMM

¥1,269.28201

0

5-7 工作日

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合计: ¥126,928.20110

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MT16HTF12864HZ-667G1
MT16HTF12864HZ-667G1
存储类型: DDR2 SDRAM 存储容量: 1 GB 速度: 667MT/s 包装/外壳: 200-SODIMM

¥1,004.69040

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1,004.69040

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MT16HTF25664AZ-667H1
MT16HTF25664AZ-667H1
存储类型: DDR2 SDRAM 存储容量: 2GB 速度: 667MT/s 包装/外壳: 240-UDIMM

¥1,509.96689

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1,509.96689

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MT16HTF25664AZ-800H1
MT16HTF25664AZ-800H1
存储类型: DDR2 SDRAM 存储容量: 2GB 速度: 800MT/s 包装/外壳: 240-UDIMM

¥1,157.09063

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1,157.09063

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MT16HTF25664HZ-667H1
MT16HTF25664HZ-667H1
存储类型: DDR2 SDRAM 存储容量: 2GB 速度: 667MT/s 包装/外壳: 200-SODIMM

¥889.19181

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥889.19181

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MT18KDF51272PDZ-1G6K1
MT18KDF51272PDZ-1G6K1
存储类型: DDR3L SDRAM 存储容量: 4GB 速度: 1600MT/s 包装/外壳: 240-RDIMM

¥803.54434

9000

5-7 工作日

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合计: ¥803.54434

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MT18KSF1G72AZ-1G4E1
MT18KSF1G72AZ-1G4E1
存储类型: DDR3L SDRAM 存储容量: 8GB 速度: 1333MT/s 包装/外壳: 240-UDIMM

¥1,118.35978

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1,118.35978

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MT4LSDT864HY-133G2
MT4LSDT864HY-133G2
存储类型: SDRAM 存储容量: 64MB 速度: 133MHz 包装/外壳: 144-SODIMM

¥1,050.73122

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,050.73122

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MT18HTF25672PDZ-667H1
MT18HTF25672PDZ-667H1
存储类型: DDR2 SDRAM 存储容量: 2GB 速度: 667MT/s 包装/外壳: 240-RDIMM

¥1,226.59094

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,226.59094

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MT18HTF25672PZ-667H1
MT18HTF25672PZ-667H1
存储类型: DDR2 SDRAM 存储容量: 2GB 速度: 667MT/s 包装/外壳: 240-RDIMM

¥1,045.52368

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,045.52368

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MT18HTF25672PZ-80EH1
MT18HTF25672PZ-80EH1
存储类型: DDR2 SDRAM 存储容量: 2GB 速度: 800MT/s 包装/外壳: 240-RDIMM

¥1,163.05763

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,163.05763

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MTSD064AHC6MS-2WTCS
MTSD064AHC6MS-2WTCS
存储类型: microSD 存储容量: 64GB 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度

¥163.80123

0

5-7 工作日

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合计: ¥19,656.14712

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MT18KSF51272AZ-1G6K1
MT18KSF51272AZ-1G6K1
存储类型: DDR3L SDRAM 存储容量: 4GB 速度: 1600MT/s 包装/外壳: 240-UDIMM

¥1,160.52987

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥116,052.98670

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MTFDHBL256TDQ-1AT12ATYY
MTFDHBL256TDQ-1AT12ATYY
种类: NVMe 存储类型: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (TLC) 存储容量: 256GB 读取速度: 2GB/s 写入速度: 850MB/s

¥1,362.75164

9

5-7 工作日

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合计: ¥1,362.75164

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MTFDDAK256TBN-1AR1ZABYY
MTFDDAK256TBN-1AR1ZABYY
种类: SATA III 存储类型: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (TLC) 存储容量: 256GB 读取速度: 530MB/s 写入速度: 500MB/s 电源电压: 5V

¥821.39411

0

5-7 工作日

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合计: ¥41,069.70560

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MTFDDAV128MBF-1AN12ABYY
MTFDDAV128MBF-1AN12ABYY
种类: SATA III 存储类型: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (MLC) 存储容量: 128GB 读取速度: 560MB/s 写入速度: 400MB/s 电源电压: 3.3伏

¥645.79145

0

5-7 工作日

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合计: ¥645.79145

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MTFDDAK240TDS-1AW15ABYY
MTFDDAK240TDS-1AW15ABYY
种类: SATA III 存储类型: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (TLC) 存储容量: 240GB 读取速度: 540MB/s 写入速度: 310MB/s 电源电压: 5V

¥1,653.01085

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5-7 工作日

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合计: ¥82,650.54265

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MT25QL01GBBB8E12-0AUT
MT25QL01GBBB8E12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥213.81041

550

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合计: ¥213.81041

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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥16.61544

2064

2-3 工作日

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