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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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操作
MT58L64L18CT-10
MT58L64L18CT-10
CACHE SRAM, 64KX18, 5NS

¥51.06245

22184

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,195.68514

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MT58L64L18DT-10
MT58L64L18DT-10
CACHE SRAM, 64KX18, 5NS PQFP100

¥51.06245

5075

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,195.68514

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MT58L64L18DT-10TR
MT58L64L18DT-10TR
SRAM SYNC DUAL 1M-BIT 64KX18

¥51.06245

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,195.68514

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MT58L64L18DT-7.5
MT58L64L18DT-7.5
CACHE SRAM 64KX18 4.2NS PQFP100

¥51.06245

449

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,195.68514

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N25Q032A13EF640F
N25Q032A13EF640F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

¥9.63595

1482

2-3 工作日

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合计: ¥9.63595

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MT58L32L32DT-10
MT58L32L32DT-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥51.85916

6082

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.08489

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MT58L64L18PT-10
MT58L64L18PT-10
CACHE SRAM, 64KX18, 5NS PQFP100

¥52.07645

8437

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.21094

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MT58L256L36PS-6
MT58L256L36PS-6
CACHE SRAM, 256KX36, 3.5NS PQFP1

¥37.22851

81

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.48185

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MT40A1G8SA-075:E
MT40A1G8SA-075:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11)

¥37.31687

1127

2-3 工作日

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合计: ¥37.31687

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MT25QU128ABA1EW7-0SIT
MT25QU128ABA1EW7-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

¥36.79393

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.79393

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MT40A512M16LY-062E:E
MT40A512M16LY-062E:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥94.23013

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥94.23013

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MT25QU512ABB8E12-0AAT
MT25QU512ABB8E12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥144.09504

1576

2-3 工作日

- +

合计: ¥144.09504

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MT25QL512ABB8E12-0AAT
MT25QL512ABB8E12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥101.61789

207

5-7 工作日

- +

合计: ¥101.61789

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MT40A1G4RH-083E:B
MT40A1G4RH-083E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥79.81676

202

5-7 工作日

- +

合计: ¥79.81676

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MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥15.32278

5250

2-3 工作日

- +

合计: ¥15.32278

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SST25VF016B-50-4I-S2AF
SST25VF016B-50-4I-S2AF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥5.67047

8781

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.67047

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MT25QL512ABB8E12-0AUT
MT25QL512ABB8E12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥115.37940

1014

5-7 工作日

- +

合计: ¥115.37940

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MT35XU512ABA1G12-0AUT
MT35XU512ABA1G12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥131.09649

1965

5-7 工作日

- +

合计: ¥131.09649

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MT25QU01GBBB8E12-0AAT
MT25QU01GBBB8E12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥185.56310

1022

5-7 工作日

- +

合计: ¥185.56310

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MTFC16GAPALGT-AIT
MTFC16GAPALGT-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8)

¥179.18935

0

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- +

合计: ¥179.18935

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