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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT25QU128ABB8E12-0AUT
MT25QU128ABB8E12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥76.71897

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MT58L128L32D1T-10
MT58L128L32D1T-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥59.53664

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MT29F2G01ABAGD12-IT:G
MT29F2G01ABAGD12-IT:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (2G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥21.10690

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MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥220.00309

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MT40A4G8KVA-083H:G
MT40A4G8KVA-083H:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x12)

¥1,460.16864

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MT53E4D1AHJ-DC
MT53E4D1AHJ-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥162.96525

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MT46V64M8CY-5B:J
MT46V64M8CY-5B:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x12.5)

¥42.21379

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MT48LC16M4A2P-7E:G
MT48LC16M4A2P-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥33.96920

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RC28F256J3C125SL7HE
RC28F256J3C125SL7HE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥67.46037

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MT47H32M8BP-37V:B
MT47H32M8BP-37V:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x12)

¥40.12567

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M29F800DT70N1
M29F800DT70N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥117.10321

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TE28F128P33B85A
TE28F128P33B85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥852.98185

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M29F800DT70N6
M29F800DT70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

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M29F800DT70N6E
M29F800DT70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

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NAND01GW3B2BZA6E
NAND01GW3B2BZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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M29W128GSL70ZA6E
M29W128GSL70ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

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JS28F00AM29EWH0
JS28F00AM29EWH0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥480.95753

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M50FLW040AN5G
M50FLW040AN5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 40-TSOP

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NAND512W3A2SN6E
NAND512W3A2SN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

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MT41K256M16HA-107:E
MT41K256M16HA-107:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

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