美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) | ¥197.22417 | 1153 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥197.22417 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) | ¥197.22417 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥197.22417 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (4G x 1) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 8-UPDFN (8x6) (MLP8) | ¥39.69109 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.69109 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ZBT SRAM, 512KX36, 4.2NS PBGA165 | ¥125.73674 | 70 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QDR SRAM, 512KX36, 2.2NS PBGA165 | ¥139.78797 | 22 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,236.60752 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13) | ¥93.65070 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥93.65070 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM 512KX18 10NS PQFP100 | ¥163.03768 | 88 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,282.52751 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DDR SRAM, 2MX8, 0.5NS PBGA165 | ¥166.58670 | 22 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,332.21380 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM, 1MX18, CMOS, | ¥170.20815 | 53 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.70595 | 添加到BOM 立即询价 | ||
QDR SRAM, 1MX18, 0.45NS PBGA165 | ¥171.14973 | 75 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,224.94645 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥183.46266 | 58 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.55188 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13) | ¥39.77656 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,392.17953 | 立即购买 加入购物车 | ||
ZBT SRAM, 256KX32, 5NS, CMOS, PB | ¥64.67910 | 240 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,199.08930 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ZBT SRAM, 256KX18, 8.5NS PQFP100 | ¥32.44819 | 558 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥359.68241 | 1147 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥359.68241 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥32.37576 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,424.53357 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥430.95255 | 1122 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥430.95255 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2 | ¥86.76125 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥86.76125 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13) | ¥833.67246 | 1518 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥833.67246 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SO | ¥99.08287 | 810 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥99.08287 | 添加到BOM 立即询价 |