品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CACHE SRAM, 256KX36, 5NS PQFP100 | ¥43.67469 | 3395 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 512KX18, 4NS PQFP100 | ¥43.81955 | 3408 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.97725 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 128KX32, 5NS PQFP100 | ¥54.46661 | 3300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥54.46661 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥27.45059 | 3641 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,196.04728 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 128KX36, 4NS PQFP100 | ¥20.13526 | 34088 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.74356 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 64KX36 | ¥36.50422 | 500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥62.65109 | 353 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.65109 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥45.63027 | 13419 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥46.35456 | 564 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.35456 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥39.69109 | 933 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.69109 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA（12x18） | ¥232.64195 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥232.64195 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 512KX18 2.5V VDD HSTL QDRB4 SRAM | ¥175.49547 | 1768 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,281.44107 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥183.46266 | 8686 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.55188 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | QDR SRAM, 2MX8, 0.45NS PBGA165 | ¥183.46266 | 1699 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.55188 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS PBGA165 | ¥183.46266 | 707 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.55188 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥183.46266 | 284 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.55188 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥28.53703 | 3003 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,826.36966 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 512KX36, 0.5NS PBGA165 | ¥191.28499 | 153 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,295.41987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VFQFPN (6x5) | ¥9.12461 | 5473 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.12461 | 立即购买 加入购物车 |