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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT29F1G08ABADAWP-E:D
MT29F1G08ABADAWP-E:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥129.38717

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5-7 工作日

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MT41K128M16HA-187E:D
MT41K128M16HA-187E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥44.54384

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MT29F2G16ABAFAWP:F
MT29F2G16ABAFAWP:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥41.73359

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合计: ¥41.73359

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MT41K256M4JP-15E:G
MT41K256M4JP-15E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

¥28.45011

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MT29F2G08ABAEAWP-E:E
MT29F2G08ABAEAWP-E:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥17.78856

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MT41K256M8HX-15E:D
MT41K256M8HX-15E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥43.77609

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MT25TL256HBA8ESF-0AAT
MT25TL256HBA8ESF-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥113.36587

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合计: ¥113.36587

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MT29F4G08ABADAWP-E:D
MT29F4G08ABADAWP-E:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥60.47822

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合计: ¥60.47822

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MT28EW512ABA1HJS-0AAT
MT28EW512ABA1HJS-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP (14x20)

¥32.85379

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MT28EW512ABA1LJS-0AAT
MT28EW512ABA1LJS-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP (14x20)

¥56.10994

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合计: ¥56.10994

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MT29F32G08CBADBWPR:D
MT29F32G08CBADBWPR:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥18.17171

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2-3 工作日

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合计: ¥18.17171

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MT25TL01GHBB8ESF-0AAT
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥51.55496

0

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MTFC64GAPALHT-AAT
MTFC64GAPALHT-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8)

¥130.92266

579

5-7 工作日

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合计: ¥130.92266

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MT53E4D1AEG-DC
MT53E4D1AEG-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥192.69011

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5-7 工作日

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合计: ¥192.69011

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MTFC64GAPALGT-AAT
MTFC64GAPALGT-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8)

¥905.17419

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MTFC128GAPALBH-AIT
MTFC128GAPALBH-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8)

¥118.43590

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合计: ¥118.43590

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MTFC128GAPALPH-AAT
MTFC128GAPALPH-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8)

¥131.61798

356

5-7 工作日

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合计: ¥131.61798

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MTFC32GAPALHT-AAT
MTFC32GAPALHT-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8)

¥31.95568

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MT40A4G4DVN-062H:E
MT40A4G4DVN-062H:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (4G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11)

¥436.97233

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MT40A8G4CLU-075H:E
MT40A8G4CLU-075H:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Gb (8G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5 x 11)

¥52.71383

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