品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥27.10293 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.10293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.31V ~ 1.39V 时钟频率: 5 GHz 供应商设备包装: 190-FBGA (10x14) | ¥28.47908 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.47908 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA | ¥57.98666 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.98666 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC FLASH 8GB NAND | ¥69.58978 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.58978 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC FLASH 8GB NAND | ¥184.65049 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥184.65049 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13) | ¥82.29818 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥82.29818 | 立即购买 加入购物车 | |
 | IC FLASH 256GBIT PARALLEL | ¥161.25593 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥161.25593 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: Die | ¥45.73167 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.73167 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC FLASH 1TB PARALLEL | ¥953.29601 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥953.29601 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18) | ¥123.53490 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥123.53490 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18) | ¥43.22563 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.22563 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11) | ¥69.98090 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.98090 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | ¥54.23926 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥54.23926 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13) | ¥84.02304 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥84.02304 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13) | ¥113.43898 | 70 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥113.43898 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13) | ¥219.01689 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥219.01689 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (64M x 64) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 216-WFBGA (12x12) | ¥21.56936 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.56936 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 供应商设备包装: Wafer | ¥37.50374 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.50374 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | DDR4 4G DIE 512MX8 | ¥45.07981 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.07981 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V | ¥13.31245 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.31245 | 添加到BOM 立即询价 |