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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥156.15692

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MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B
MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫

¥78.84621

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MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 384Gb (48G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥15.34046

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MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 384Gb (48G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥480.27670

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MT53B384M16D1Z0APWC1
MT53B384M16D1Z0APWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 6Gb (384M x 16) 电源电压: 1.1伏

¥69.86501

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MT53B384M16D1Z0AQWC1
MT53B384M16D1Z0AQWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 6Gb (384M x 16) 电源电压: 1.1伏

¥15.31149

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MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥13.19656

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MTFC64GAJAEDQ-AAT
MTFC64GAJAEDQ-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 供应商设备包装: 100-LBGA(14x18)

¥25.56744

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MT44K32M36RB-083F:A
MT44K32M36RB-083F:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1.125Gb(32Mb x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥39.29998

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MT44K64M18RB-083F:A
MT44K64M18RB-083F:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1.125Gb(64Mb x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

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MT48LC16M16A2Y66AWC1
MT48LC16M16A2Y66AWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫

¥20.68572

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MT41K256M16V90BWC1
MT41K256M16V90BWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V

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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)

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MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

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MT29F512G08AUEBBH8-12:B
MT29F512G08AUEBBH8-12:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 152-LBGA (14x18)

¥19.45443

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MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Tb (512G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫

¥22.42402

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MT41K512M8V00HWC1-N002
MT41K512M8V00HWC1-N002
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V

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ECF840AAACN-C2-Y3
ECF840AAACN-C2-Y3
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏

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MTFC64GANALAM-WT
MTFC64GANALAM-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8)

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M29F400FB55M32
M29F400FB55M32
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

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