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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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ECF840AAACN-C1-Y3
ECF840AAACN-C1-Y3
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏

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MT40A2G4PM-083E:A
MT40A2G4PM-083E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x13.2)

¥98.47447

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MTFC8GAKAJCN-4M IT
MTFC8GAKAJCN-4M IT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 153-VFBGA (11.5x13)

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N25Q00AA11G1240E
N25Q00AA11G1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-LPBGA (6x8)

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MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: Die

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N25Q064A13E12D0E
N25Q064A13E12D0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

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N25Q064A13E14D0E
N25Q064A13E14D0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

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N25Q512A11G1240E
N25Q512A11G1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥40.60370

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EDB4432BBPE-1D-F-D
EDB4432BBPE-1D-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz

¥18.00585

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EDF8164A3PM-GD-F-D
EDF8164A3PM-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥29.49309

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EDFA112A2PD-GD-F-D
EDFA112A2PD-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (128M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

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EDFA112A2PD-JD-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (128M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

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EDFA112A2PF-GD-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (128M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

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EDFA112A2PF-JD-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (128M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

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EDFA164A2PH-GD-F-D
EDFA164A2PH-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

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EDFA164A2PM-JD-F-D
EDFA164A2PM-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

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EDFA164A2PM-JDTJ-F-D
EDFA164A2PM-JDTJ-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

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MT53D6DABE-DC
MT53D6DABE-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥37.15608

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EDFA364A3PM-GD-F-D
EDFA364A3PM-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

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EDFP112A3PB-GDTJ-F-D
EDFP112A3PB-GDTJ-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

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