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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT40A4G4FSE-083E:A
MT40A4G4FSE-083E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (4G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x13)

¥56.88574

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合计: ¥56.88574

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MTFC64GAPALHT-AIT
MTFC64GAPALHT-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8)

¥33.99817

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合计: ¥33.99817

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MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A
MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥19.38200

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合计: ¥19.38200

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MTFC16GAPALHT-AIT
MTFC16GAPALHT-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8)

¥40.61818

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合计: ¥40.61818

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MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥563.75836

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合计: ¥563.75836

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MT29F128G08AMEDBJ5-12:D
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 132-TBGA (12x18)

¥19.64275

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合计: ¥19.64275

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MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥34.20097

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合计: ¥34.20097

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MT40A4G4HPR-075H:G
MT40A4G4HPR-075H:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (4G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz

¥45.45644

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合计: ¥45.45644

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MTFC64GAJAEDN-AAT
MTFC64GAJAEDN-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 供应商设备包装: 169-LFBGA (14x18)

¥12.80545

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合计: ¥12.80545

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MT40A8G4KVA-075H:G
MT40A8G4KVA-075H:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Gb (8G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x12)

¥56.56705

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MT44K32M36RB-083E:A
MT44K32M36RB-083E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1.125Gb(32Mb x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥31.68045

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MT44K64M18RB-083E:A
MT44K64M18RB-083E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1.125Gb(64Mb x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥55.30678

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MTFC256GBAOANAM-WT
MTFC256GBAOANAM-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8)

¥3.50556

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合计: ¥3.50556

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MT29F128G08CFEFBWP:F
MT29F128G08CFEFBWP:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥106.12297

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合计: ¥106.12297

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MTFC128GAPALPH-AIT
MTFC128GAPALPH-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥24.56792

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合计: ¥24.56792

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MTFC32GAPALGT-AIT
MTFC32GAPALGT-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8)

¥34.31686

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合计: ¥34.31686

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MT40A8G4CLU-062H:E
MT40A8G4CLU-062H:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Gb (8G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5 x 11)

¥27.62442

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合计: ¥27.62442

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MTFC32GAPALHT-AIT
MTFC32GAPALHT-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8)

¥800.97783

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合计: ¥800.97783

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MT29F256G08AMEBBH7-12:B
MT29F256G08AMEBBH7-12:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥2.99856

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合计: ¥2.99856

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MT29F64G08CBEFBWP:F
MT29F64G08CBEFBWP:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥27.10293

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