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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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RC28F256P30BFA
RC28F256P30BFA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥36.93879

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M29W400BT90N1
M29W400BT90N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥75.06542

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NAND512R3A2CZA6E
NAND512R3A2CZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥72.50143

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PC28F256P33TFA
PC28F256P33TFA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥20.48292

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M29W400DB45ZE6E
M29W400DB45ZE6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x9)

¥829.77560

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NAND512W3A2CN6E
NAND512W3A2CN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥19.04883

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PC28F256P30BFA
PC28F256P30BFA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥41.03827

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M29W400DB55N1
M29W400DB55N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥30.95616

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NAND512W3A2CZA6E
NAND512W3A2CZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥68.14120

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TE28F256J3F105A
TE28F256J3F105A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP (18.4x14)

¥817.65098

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M29W400DB55N6
M29W400DB55N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥19.22266

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JS28F256M29EWLA
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥29.78281

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M29W400DB55N6E
M29W400DB55N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥42.63171

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JS28F256P30TFA
JS28F256P30TFA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥57.00162

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M29W400DB55ZE6E
M29W400DB55ZE6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x9)

¥48.71575

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JS28F256P30BFA
JS28F256P30BFA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥32.63651

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M29W400DB70N1
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥45.42747

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M29W400DB70N6
M29W400DB70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥468.91983

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M29W400DB70N6E
M29W400DB70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

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M29W400DB70ZE6E
M29W400DB70ZE6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x9)

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