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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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描述
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GS82582TT20GE-500I
GS82582TT20GE-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

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GS8256436GD-200IV
GS8256436GD-200IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

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GS82564Z36GB-200IV
GS82564Z36GB-200IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

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GS82564Z18GB-250I
GS82564Z18GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

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GS82582DT20GE-500I
GS82582DT20GE-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

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GS82582TT37GE-450I
GS82582TT37GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

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GS82582DT19GE-450I
GS82582DT19GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

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GS82582QT37GE-400I
GS82582QT37GE-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

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GS82582DT37GE-450I
GS82582DT37GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

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GS82582QT19GE-400I
GS82582QT19GE-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

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GS8342DT20BGD-500I
GS8342DT20BGD-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥487.43268

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GS8342QT37BGD-333I
GS8342QT37BGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥487.43268

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GS8342DT37BGD-400I
GS8342DT37BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥487.43268

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GS8342DT38BGD-500I
GS8342DT38BGD-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

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GS8342QT19BGD-333I
GS8342QT19BGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥487.43268

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GS8342TT38BGD-500I
GS8342TT38BGD-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥487.43268

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GS8342TT20BGD-500I
GS8342TT20BGD-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥487.43268

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合计: ¥7,311.49026

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GS832236AGB-333I
GS832236AGB-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥488.17146

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GS832136AGD-333I
GS832136AGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥488.17146

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合计: ¥8,787.08628

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GS8320Z36AGT-250IV
GS8320Z36AGT-250IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥493.36621

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