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品牌介绍

Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市,在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转矩MRAM(ST-MRAM)并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用中,是全球领先的公司。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,建立了世界上最强大、增长最快的MRAM用户基础。

英文全称: Everspin Technologies Inc.

中文全称: 埃弗斯宾半导体

英文简称: Everspin

品牌地址: http://everspin.com/

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描述
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MR25H40CDCR
MR25H40CDCR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)

¥119.07328

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合计: ¥476,293.10400

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MR0DL08BMA45R
MR0DL08BMA45R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥102.34218

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MR0A16AYS35R
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥83.54685

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合计: ¥125,320.27800

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MR0D08BMA45
MR0D08BMA45
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥94.95442

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合计: ¥66,088.27562

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MR25H40DFR
MR25H40DFR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥84.30736

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合计: ¥337,229.42400

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MR0A16AVMA35R
MR0A16AVMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥102.45082

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合计: ¥204,901.64200

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MR0A16AMA35
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥80.28755

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MR2A08AMA35R
MR2A08AMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥154.27377

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MR0A08BCYS35
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥104.68461

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MR256A08BYS35R
MR256A08BYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥43.56604

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MR1A16AYS35R
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

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MR256D08BMA45R
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥43.67469

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MR25H40CDFR
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥109.29536

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MR2A16AVMA35R
MR2A16AVMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥193.16814

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合计: ¥386,336.28600

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MR2A16AMA35R
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥154.70834

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合计: ¥309,416.68800

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MR2A08AYS35R
MR2A08AYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥155.14292

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合计: ¥232,714.37700

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MR3A16AYS35R
MR3A16AYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥169.15793

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合计: ¥169,157.93000

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MR3A16AMA35
MR3A16AMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥173.93824

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MR0A08BMA35R
MR0A08BMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥80.83076

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MR25H256MDFR
MR25H256MDFR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥74.09487

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