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品牌介绍

Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市,在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转矩MRAM(ST-MRAM)并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用中,是全球领先的公司。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,建立了世界上最强大、增长最快的MRAM用户基础。

英文全称: Everspin Technologies Inc.

中文全称: 埃弗斯宾半导体

英文简称: Everspin

品牌地址: http://everspin.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
MR25H10CDC
MR25H10CDC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)

¥67.28654

4113

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.28654

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MR25H10MDF
MR25H10MDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥80.39619

1271

5-7 工作日

- +

合计: ¥80.39619

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MR25H10MDC
MR25H10MDC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)

¥82.64149

2906

5-7 工作日

- +

合计: ¥82.64149

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MR25H256CDC
MR25H256CDC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥58.95721

2495

5-7 工作日

- +

合计: ¥58.95721

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MR4A08BCYS35
MR4A08BCYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥345.63119

98

5-7 工作日

- +

合计: ¥345.63119

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