品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥45.24278 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,716.53200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥45.24278 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,716.53200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥10.45690 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,223.45742 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥7.99769 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥935.72973 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥10.45701 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,223.47005 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥31.20255 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,995.44490 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥10.45701 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,223.47005 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥23.82492 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,435.96064 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥31.67548 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,665.46519 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥31.67548 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,665.46519 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥39.72521 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,613.49985 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥39.72521 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,613.49985 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (FLASH-NOR), 1Gb (FLASH-NAND) (16M x 8 (FLASH-NOR), 128M x 8 (FLASH-NAND)) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥37.30709 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,907.40368 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥39.87470 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,895.19060 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥31.67548 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,271.74425 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥32.01178 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,338.33204 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥31.67548 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,271.74425 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥15.42738 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.42738 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9) | ¥32.33757 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,089.32215 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥16.68569 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,009.12928 | 添加到BOM 立即询价 |