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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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操作
W631GU6NB-12
W631GU6NB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V、1.425V~1.575V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥27.17877

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5-7 工作日

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合计: ¥5,381.39547

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W25X32VSFIG
W25X32VSFIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥25.84267

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5-7 工作日

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合计: ¥25.84267

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W25X32VSSIG
W25X32VSSIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥36.63459

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5-7 工作日

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合计: ¥36.63459

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W25X32VZEIG
W25X32VZEIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥69.35801

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合计: ¥69.35801

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W631GG6NB-09
W631GG6NB-09
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥29.80490

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合计: ¥5,901.36941

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W9412G6JB-5
W9412G6JB-5
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7V ~ 2.3V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥27.44161

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合计: ¥5,735.29649

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W9412G6JB-5I
W9412G6JB-5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7V ~ 2.3V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥27.44161

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5-7 工作日

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合计: ¥5,735.29649

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W19B320ABB7H
W19B320ABB7H
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥75.54345

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5-7 工作日

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合计: ¥75.54345

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W19B320ABT7H
W19B320ABT7H
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥49.72975

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5-7 工作日

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合计: ¥49.72975

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W19B320ATB7H
W19B320ATB7H
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥29.37720

0

5-7 工作日

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合计: ¥29.37720

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W19B320ATT7H
W19B320ATT7H
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥127.96756

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合计: ¥127.96756

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W27C512-45Z
W27C512-45Z
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 4.75伏~5.25伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥77.61492

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合计: ¥77.61492

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W29EE011P90Z
W29EE011P90Z
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(11.43x13.97)

¥49.22275

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合计: ¥49.22275

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W39V040FAPZ
W39V040FAPZ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-PLCC(11.43x13.97)

¥80.77282

0

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合计: ¥80.77282

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W25B40AVSNIG
W25B40AVSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥58.88478

0

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合计: ¥58.88478

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W25B40VSNIG
W25B40VSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥12.32742

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合计: ¥12.32742

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W25P10VSNIG
W25P10VSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥42.26956

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合计: ¥42.26956

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W25P16VSFIG
W25P16VSFIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥6.02609

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合计: ¥6.02609

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W25P16VSSIG
W25P16VSSIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥56.13248

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合计: ¥56.13248

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W25P20VSNIG
W25P20VSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥23.24971

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