品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA（9x13） | ¥45.93447 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.93447 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥52.72831 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.72831 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥56.34976 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.34976 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥44.02235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.02235 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥37.21402 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.21402 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x6.5) | ¥20.72918 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.72918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥73.34161 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.34161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA（9x13） | ¥1,023.98672 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,023.98672 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA（9x13） | ¥142.71410 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥142.71410 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.4V ~ 2.7V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥21.59833 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.59833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.4V ~ 2.7V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥67.48934 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.48934 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥24.11886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.11886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (6.4x10.1) | ¥14.61617 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.61617 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-USON (4x3) | ¥181.44913 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥181.44913 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥50.22018 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.22018 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥57.71143 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.71143 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.4V ~ 2.7V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥32.47716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.47716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥54.35072 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.35072 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VSOP | ¥18.77360 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.77360 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥34.54863 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.54863 | 添加到BOM 立即询价 |