品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥58.58058 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.58058 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (11x11.5) | ¥34.60658 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.60658 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA（9x13） | ¥136.07961 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥136.07960 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥44.50038 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.50038 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-WBGA（9x13） | ¥156.76533 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥156.76533 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥15.52588 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.52588 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥30.04355 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.04355 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥171.01936 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥171.01936 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥69.66221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.66221 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x12.5) | ¥47.77417 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.77417 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA | ¥55.37921 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.37921 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA | ¥27.47956 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.47956 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA | ¥231.85972 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥231.85972 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥5.77694 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.77694 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥30.49261 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.49261 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥71.33532 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.33532 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥17.00633 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.00633 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥11.25547 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.25547 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥49.38209 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.38209 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥148.87057 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥148.87057 | 添加到BOM 立即询价 |