Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (11x11.5) | ¥19.58480 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.58480 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (11x11.5) | ¥55.13296 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.13296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥67.21411 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.21411 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥24.50997 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.50997 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x12.5) | ¥112.67055 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥112.67055 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥70.27062 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.27062 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (6.4x10.1) | ¥486.25933 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥486.25933 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥18.36799 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.36799 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥9.88939 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.88939 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥30.82421 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥30.82421 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥27.72582 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.72582 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥50.81619 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.81619 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥39.15512 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.15512 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VSOP | ¥37.43131 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.43131 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥125.63534 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥125.63534 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥14.79000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.79000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x12.5) | ¥25.75575 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.75575 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥17.13670 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.13670 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥54.91567 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.91567 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥88.39235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.39235 | 添加到BOM 立即询价 |