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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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W25Q32JWUUIQTR
W25Q32JWUUIQTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-USON (4x3)

¥7.82233

4611

5-7 工作日

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合计: ¥7.82233

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W25Q02JVTBIM
W25Q02JVTBIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥195.48587

54

5-7 工作日

- +

合计: ¥195.48587

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W25Q32JWZPIQ
W25Q32JWZPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥7.17047

5180

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.17047

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W25Q01JVZEIM
W25Q01JVZEIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥90.02925

1860

5-7 工作日

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合计: ¥90.02925

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W25X20CLSNIG
W25X20CLSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.96356

52611

2-3 工作日

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合计: ¥4.96356

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W25X40CLSNIG
W25X40CLSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥2.16925

409282

2-3 工作日

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合计: ¥2.16925

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W25Q40CLSNIG
W25Q40CLSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥1.99123

128583

2-3 工作日

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合计: ¥1.99123

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W25Q80DVSSIG
W25Q80DVSSIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥2.55240

416998

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.55240

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W25Q80DVSNIG
W25Q80DVSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥2.19170

120114

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.19170

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W25Q16JVSNIQ
W25Q16JVSNIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥1.59851

246469

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.59851

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W25Q16JVSSIQ
W25Q16JVSSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥1.94327

353730

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.94327

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W74M12JWSSIQ
W74M12JWSSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥22.38056

97

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.38056

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W25Q80EWSNIG
W25Q80EWSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥5.83274

31790

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.83274

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W25Q80DVZPIG
W25Q80DVZPIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥3.55219

38763

2-3 工作日

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合计: ¥3.55219

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W74M12JWZPIQ
W74M12JWZPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥23.24971

564

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.24971

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W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVZPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥3.97257

82930

2-3 工作日

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合计: ¥3.97257

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W25R128JWPIQ
W25R128JWPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥23.53943

569

5-7 工作日

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合计: ¥23.53943

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W631GG6NB-12
W631GG6NB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥34.33135

109

5-7 工作日

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合计: ¥34.33135

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W25X40CLSSIG
W25X40CLSSIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.63627

5276

2-3 工作日

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W97AH6NBVA1I
W97AH6NBVA1I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥50.62787

102

5-7 工作日

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合计: ¥50.62787

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