Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥9.49399 | 55358 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.49399 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥2.75230 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.75230 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥70.45534 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥70.45534 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥92.34698 | 9 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥92.34698 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥34.04163 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.04163 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥35.20049 | 2749 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.20049 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥35.77993 | 649 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.77993 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥35.92478 | 374 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.92478 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13) | ¥35.99721 | 1504 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.99721 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥21.07756 | 971 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥21.07756 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥20.37833 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,781.60032 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥21.92723 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,368.14062 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥12.84528 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,387.29056 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥20.28323 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,190.58927 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥20.64784 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,910.96416 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥20.64784 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,910.96416 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥15.63199 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,503.35472 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥23.31989 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,193.54864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥31.36019 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,003.90157 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥41.10245 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,111.68187 | 立即购买 加入购物车 |