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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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描述
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W25Q256JVEIQ
W25Q256JVEIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥9.49399

55358

2-3 工作日

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合计: ¥9.49399

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W25Q10EWSNIG
W25Q10EWSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥2.75230

0

5-7 工作日

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合计: ¥2.75230

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W25Q01JVSFIQ
W25Q01JVSFIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥70.45534

0

2-3 工作日

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合计: ¥70.45534

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W25Q01JVTBIQ
W25Q01JVTBIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥92.34698

9

5-7 工作日

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合计: ¥92.34698

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W74M25JVZEIQ
W74M25JVZEIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥34.04163

0

5-7 工作日

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合计: ¥34.04163

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W949D2DBJX5I
W949D2DBJX5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥35.20049

2749

5-7 工作日

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合计: ¥35.20049

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W25R256JWPIQ
W25R256JWPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥35.77993

649

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.77993

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W958D8NBYA5I
W958D8NBYA5I
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥35.92478

374

5-7 工作日

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合计: ¥35.92478

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W631GG6NB-11
W631GG6NB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥35.99721

1504

5-7 工作日

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合计: ¥35.99721

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W971GG6NB-25
W971GG6NB-25
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5)

¥21.07756

971

2-3 工作日

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合计: ¥21.07756

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W25N01GVZEIR
W25N01GVZEIR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥20.37833

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,781.60032

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W9864G2JH-6I
W9864G2JH-6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥21.92723

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,368.14062

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W9825G6KH-6I
W9825G6KH-6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥12.84528

0

2-3 工作日

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合计: ¥1,387.29056

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W9825G6KH-5
W9825G6KH-5
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥20.28323

0

2-3 工作日

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合计: ¥2,190.58927

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W25Q256JVBIQ
W25Q256JVBIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥20.64784

0

5-7 工作日

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合计: ¥9,910.96416

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W25Q256JVCIQ
W25Q256JVCIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥20.64784

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,910.96416

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W25Q128JWCIQ
W25Q128JWCIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥15.63199

0

5-7 工作日

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合计: ¥7,503.35472

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W25Q256JWBIQ
W25Q256JWBIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥23.31989

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5-7 工作日

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合计: ¥11,193.54864

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W9812G6JB-6
W9812G6JB-6
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥31.36019

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2-3 工作日

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合计: ¥10,003.90157

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W9812G6JB-6I
W9812G6JB-6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥41.10245

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合计: ¥13,111.68187

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